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固态硬盘颗粒有哪些?固态硬盘SLC、MLC、TLC、QLC有什么不同?

2019-7-2 18:44| 发布者: 六月飞雪| 查看: 249| 评论: 0|原作者: idlost

SSD固态硬盘的价格已经渐渐平民化,所以大部分用户都能消费得起固态硬盘。不过并不是叫固态硬盘的就是好的,固态硬盘这潭水可深着,就从闪存颗粒方面来说,固态硬盘颗粒有SLC、MLC、TLC和QLC,四种颗粒都了解的应该 ...

SSD固态硬盘的价格已经渐渐平民化,所以大部分用户都能消费得起固态硬盘。不过并不是叫固态硬盘的就是好的,固态硬盘这潭水可深着,就从闪存颗粒方面来说,固态硬盘颗粒有SLC、MLC、TLC和QLC,四种颗粒都了解的应该没几个。这边一起来学习下固态硬盘SLC、MLC、TLC、QLC四种颗粒有什么区别。



固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒介绍:

根据NAND闪存中电子单元密度的差异,可以分为SLC(单层次存储单元)、MLC(双层存储单元)、TLC(三层存储单元)以及最新推出的QLC(四层存储单元)。固态硬盘依靠闪存芯片来存储数据,里面存放数据最小单位叫作“Cell”,SLC每个cell可以存放1bit数据,MLC每个cell可以存放2bit数据,TLC每个cell可以存放3bit数据,而QLC可以存放4bit数据。



QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比

SLC(单层存储单元)

全称是Single-Level Cell,单层电子结构,每个cell可以存放1bit数据,SLC达到1bit/cell,写入数据的时候电压变化区间小,P/E寿命较长,理论擦写次数在10万次以上,但是由于成本最高,所以SLC颗粒多数用于企业级高端产品中。

MLC(双层存储单元)

全称是Multi-Level Cell,使用高低电压的而不同构建的双层电子结构,MLC达到2bit/cell,P/E寿命较长,理论擦写次数在3000-5000次左右,成本相对较高,但是对于消费级来说也可以接受,多用于家用级高端产品中。

TLC(三层存储单元)

全称是Trinary-Level Cell,三层式存储单元,是MLC闪存延伸,TLC达到3bit/cell,由于存储密度较高,所以容量理论上是MLC的1.5倍,成本较低,但是P/E寿命相对要低一些,理论擦写次数在1000-3000次不等,是目前市面上主流的闪存颗粒。

QLC(四层存储单元)

全称是Quad-Level Cell,四层式存储单元,QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度,同时成本上相比TLC更低,优势就是可以将容量做的更大,成本上更低,劣势就是P/E寿命更短,理论擦写次数仅150次。




QLC颗粒好不好?

每一个Cell单元存储数据越多,单位面积容量就越高,但是同时会导致不同电压状态越多,并且越难控制,所以采用QLC颗粒的固态,虽然容量更大价格更便宜,但是稳定性较差,并且P/E寿命较低,速度最慢。

QLC NAND最大的优势就是在于成本更低,相同的成本下能够做出更大容量的SSD,容量将不再受到限制,1TB容量对于QLC颗粒来说,都是小意思,几十到上百TB才是主流,大容量固态硬盘时代开始了。但是对于P/E寿命和速度来说,这是QLC颗粒最大劣势之处。P/E寿命的公式是擦写次数*容量/每天擦写量/365,但是QLC颗粒的固态硬盘容量都很大,假设1个1TB的QLC颗粒的固态硬盘,每天擦写100G,也就是它的寿命=1024*100/100/365,约2.8年,还有这个最大写入次数也是理论上的,超出不一定就100%坏了,关键电脑不可能每天打开,也有休息的时候,加之每天不可能都擦写100G,所以它的寿命也是不用太担心的,等待固态硬盘坏了,整台电脑也淘汰了。

QLC颗粒相信不少用户会说是技术倒退,但是对于厂商来说,目前用户对存储容量需求随之提高,目前TLC和MLC颗粒大容量的固态硬盘价格偏贵,更低成本更大容量才是未来趋势,相信QLC颗粒会使得固态硬盘进入大容量廉价时代。


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